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[教师主持]InGaAs(P)/InP雪崩光电二极管器件雪崩过程的辐射复合特性及其可能应用
2017-03-09 15:26   审核人:

主持人:李永富老师

主  题:InGaAs(P)/InP雪崩光电二极管器件雪崩过程的辐射复合特性及其可能应用

主要内容:单光子探测用APD器件在雪崩过程中,由于载流子的辐射复合会发出荧光,这是一种间接测量手段,但由于不需要电学探头介入,不会干扰APD工作状态。通过研究APD雪崩过程中的发光现象,可以测量雪崩电荷量,可以测量器件的抖动特性。

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